Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TJ30S06M3L(T6L1,NQ, MOSFET P-Ch MOS -30A -60V ...

TJ30S06M3L(T6L1,NQ, MOSFET P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6937 шт., срок 5-8 недель

1 870 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 870 ֏

Номенклатурный номер: 8004639173

Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзисторы U-MOSVI с малым сигналом

МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI с малым сигналом предлагают различные напряжения управления затвором, необходимые для многих различных типов мобильных устройств. Они доступны в одноканальном, двухканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и в версиях с различным напряжением, предоставляя разработчикам широкий спектр возможностей. Каждый полевой МОП-транзистор удовлетворяет потребности в поддержке сильноточной зарядки при низком напряжении и низком значении R DS(on). Компактный корпус и низковольтная работа делают полевые МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI Small Signal идеальным решением для корпусов высокой плотности в смартфонах и игровых консолях.

Технические параметры

Brand:	Toshiba
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Id - Continuous Drain Current:	30 A
Manufacturer:	Toshiba
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	68 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	80 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	21.8 mOhms
Series:	TJ30S06M3L
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	U-MOSVI
Transistor Polarity:	P-Channel
Transistor Type:	1 P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	0.33