TK040Z65Z,S1F, MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)

TK040Z65Z,S1F, MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 шт., срок 5-8 недель
14 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 000 ֏
Номенклатурный номер: 8004639174
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор 360W 1MHz TO-247-4L(T)

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки: 57 A
Pd - рассеивание мощности: 360 W
Qg - заряд затвора: 105 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 40 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 4 V
Вид монтажа: Through Hole
Время нарастания: 30 ns
Время спада: 5 ns
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Коммерческое обозначение: DTMOSVI
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Производитель: Toshiba
Размер фабричной упаковки: 25
Серия: TK040Z65Z
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 170 ns
Типичное время задержки при включении: 75 ns
Торговая марка: Toshiba
Упаковка / блок: TO-247-4
Упаковка: Cut Tape, Reel
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet TK040Z65Z.S1F
pdf, 420 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 августа1 бесплатно
HayPost 21 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг