TK31N60X,S1F, MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

61 шт., срок 5-8 недель

7 200 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 200 ֏

Номенклатурный номер: 8004639185

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

Id - непрерывный ток утечки	30.8 A
Pd - рассеивание мощности	230 W
Qg - заряд затвора	65 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	73 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	22 ns
Время спада	6 ns
Высота	20.95 mm
Длина	15.94 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DTMOSIV
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	TK31N60X
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	130 ns
Типичное время задержки при включении	55 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.02 mm
Вес, г	38