Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TK31V60X,LQ, MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V ...

TK31V60X,LQ, MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2113 шт., срок 5-8 недель

6 400 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 400 ֏

Номенклатурный номер: 8004639186

Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзисторы DTMOSIV-H
Полевые МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H подходят для приложений, требующих высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, таких как высокоэффективные импульсные источники питания для серверов и базовых телекоммуникационных станций, а также в качестве кондиционеров для фотоэлектрических инверторов. МОП-транзисторы DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при сохранении низкого уровня сопротивления в открытом состоянии, характерного для обычных DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению размеров изделий.

Технические параметры

Brand:	Toshiba
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Triple
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	6 ns
Id - Continuous Drain Current:	30.8 A
Manufacturer:	Toshiba
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	DFN8x8-5
Pd - Power Dissipation:	240 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	65 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	78 mOhms
Rise Time:	22 ns
Series:	TK31V60X
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	DTMOSIV-H
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	130 ns
Typical Turn-On Delay Time:	55 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Вес, г	0.18