TK7A65D(STA4,Q,M), MOSFET N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
![TK7A65D(STA4,Q,M), MOSFET N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 6-9 недель
2 670 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 670 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
Pd - рассеивание мощности | 45 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 980 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15 mm |
Длина | 10 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | TK7A65D |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Ширина | 4.5 mm |
Brand | Toshiba |
Factory Pack Quantity | 50 |
Height | 15 mm |
Id - Continuous Drain Current | 7 A |
Length | 10 mm |
Manufacturer | Toshiba |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220FP-3 |
Pd - Power Dissipation | 45 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 980 mOhms |
RoHS | Details |
Series | TK7A65D |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Unit Weight | 0.211644 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Width | 4.5 mm |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet TK7A65D(STA4.Q.M)
pdf, 200 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг