Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TK8A25DA,S4X, MOSFET Pb-F POWER MOSFET ...

TK8A25DA,S4X, MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 шт., срок 6-9 недель

1 070 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 070 ֏

Номенклатурный номер: 8004639197

Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзисторы π-MOS VII
МОП-транзисторы Toshiba -MOS VII представляют собой привод с затвором 10 В, одноканальные устройства с одним N-каналом, сочетающие технологию МОП-МОП с планарным процессом для обеспечения широкого выбора напряжения и R DS ( ON) рейтинги. Эти высоковольтные полевые МОП-транзисторы предлагаются с диапазоном напряжения сток-исток от 250 В до 650 В и с диапазоном тока стока от 2 до 20 А. МОП-транзисторы -MOS VII предлагаются в корпусах со сквозными отверстиями TO-220-3 и TO-252, а также в компактных корпусах DPAK-3 и PW-Mold-3 для поверхностного монтажа.

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки:	7.5 A
Pd - рассеивание мощности:	30 W
Qg - заряд затвора:	16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:	500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:	250 V
Vgs - напряжение затвор-исток:	-20 V, +20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	1.5 V
Вид монтажа:	Through Hole
Время нарастания:	28 ns
Время спада:	16 ns
Канальный режим:	Enhancement
Категория продукта:	МОП-транзистор
Количество каналов:	1 Channel
Коммерческое обозначение:	MOSVII
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+150 C
Минимальная рабочая температура:	-55 C
Подкатегория:	MOSFETs
Полярность транзистора:	N-Channel
Производитель:	Toshiba
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:	50
Серия:	TK8A25DA
Технология:	Si
Тип продукта:	MOSFET
Тип транзистора:	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:	66 ns
Типичное время задержки при включении:	32 ns
Торговая марка:	Toshiba
Упаковка / блок:	TO-220-3
Упаковка:	Tube
Вес, г	2