TPN2010FNH,L1Q, MOSFET UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13971 шт., срок 6-9 недель

1 870 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 870 ֏

Номенклатурный номер: 8004639255

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

Id - непрерывный ток утечки	9.9 A
Pd - рассеивание мощности	39 W
Qg - заряд затвора	7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	168 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	250 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5.2 ns
Время спада	4.5 ns
Высота	0.85 mm
Длина	3.1 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Triple Common Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	TPN2010FNH
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	19 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	TSON-Advance-8
Ширина	3.1 mm
Вес, г	1