SI4128DY-T1-E3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт. —
720 ֏
от 100 шт. —
427 ֏
от 500 шт. —
345 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 10.9 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 5 W |
| Qg - заряд затвора: | 12 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 24 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1 V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Высота: | 1.75 mm |
| Длина: | 4.9 mm |
| Другие названия товара №: | SI4128DY-E3 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение: | TrenchFET |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | Vishay |
| Размер фабричной упаковки: | 2500 |
| Серия: | SI4 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок: | SO-8 |
| Ширина: | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.187 |
Техническая документация
Datasheet SI4128DY-T1-E3
pdf, 183 КБ
