SI4874BDY-T1-E3, MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 740 ֏
от 10 шт. —
1 340 ֏
от 100 шт. —
980 ֏
от 500 шт. —
860 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 740 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 30V 16A 0.007Ohm
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Другие названия товара № | SI4874BDY-E3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | SI4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC N |
| Typical Fall Time (ns) | 15 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 21 4.5V |
| Typical Rise Time (ns) | 10 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 57 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Вес, г | 0.29 |
Техническая документация
Datasheet SI4874BDY-T1-E3
pdf, 157 КБ
Datasheet SI4874BDY-T1-E3
pdf, 161 КБ
