IRFR110TRLPBF, MOSFETs 100V N-CH HEXFET D-PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
от 100 шт. —
650 ֏
от 500 шт. —
510 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 4.3 a |
| Pd - рассеивание мощности: | 2.5 w |
| Qg - заряд затвора: | 8.3 nc |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 540 mohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 100 v |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 v, +20 v |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 4 v |
| Вид монтажа: | smd/smt |
| Время нарастания: | 16 ns |
| Время спада: | 9.4 ns |
| Другие названия товара №: | irfr110trlpbf-be3 |
| Канальный режим: | enhancement |
| Категория продукта: | моп-транзистор |
| Количество каналов: | 1 channel |
| Конфигурация: | single |
| Максимальная рабочая температура: | +150 c |
| Минимальная рабочая температура: | -55 c |
| Подкатегория: | mosfets |
| Полярность транзистора: | n-channel |
| Производитель: | vishay |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Серия: | irfr/u |
| Технология: | si |
| Тип продукта: | mosfet |
| Тип транзистора: | 1 n-channel |
| Типичное время задержки выключения: | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 6.9 ns |
| Торговая марка: | vishay semiconductors |
| Упаковка / блок: | to-252-3 |
| Вес, г | 421 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 762 КБ
