BCP5416TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
![Фото 1/5 BCP5416TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K](https://static.chipdip.ru/lib/775/DOC043775451.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166733.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/405/DOC004405025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/609/DOC007609938.jpg)
530 ֏
от 10 шт. —
344 ֏
от 100 шт. —
141 ֏
от 1000 шт. —
83 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BCP54 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Power |
Configuration | Single Dual Collector |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 45 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Minimum DC Current Gain | 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Automotive | No |
Pin Count | 4 |
Supplier Package | SOT-223 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 1.55 |
Package Length | 6.5 |
Package Width | 3.5 |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Base Product Number | BCP5416 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 150MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 2W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Collector Emitter Voltage Max | 45В |
Continuous Collector Current | 1А |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
Power Dissipation | 2Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | BCP54 |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 150МГц |
Вес, г | 0.112 |