DXTN07100BP5-13, Bipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

840 ֏

от 10 шт. — 750 ֏

от 100 шт. — 458 ֏

от 500 шт. — 368 ֏

1 шт. на сумму 840 ֏

Номенклатурный номер: 8004674859

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A

Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	175 MHz
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	DXTN07100
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	PowerDI-5
Вес, г	0.096