Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › ZHB6718TA, Bipolar Transistors - BJT H-Bridge-20V

ZHB6718TA, Bipolar Transistors - BJT H-Bridge-20V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 950 ֏

от 10 шт. — 2 250 ֏

от 100 шт. — 1 740 ֏

от 250 шт. — 1 330 ֏

1 шт. на сумму 2 950 ֏

Номенклатурный номер: 8004674871

Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT H-Bridge-20V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	2000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm (Max)
Длина	6.7 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200 at 10 mA at 2 V at NPN, 300 at 100 mA at 2 V a
Конфигурация	Quad
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	130 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	2.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZHB6718
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SM-8
Ширина	3.7 mm (Max)
Maximum Collector Base Voltage	20 V
Maximum Collector Emitter Voltage	20 V
Maximum DC Collector Current	2.5 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	140 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2 W
Minimum DC Current Gain	300
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	4
Package Type	SM
Pin Count	8
Transistor Configuration	Full Bridge
Transistor Type	NPN+PNP
Вес, г	1