ZX5T955ZTA, Bipolar Transistors - BJT 140V PNP Lw Saturatn Med power transisto

Фото 1/2 ZX5T955ZTA, Bipolar Transistors - BJT 140V PNP Lw Saturatn Med power transisto
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 150 ֏
от 10 шт.930 ֏
от 100 шт.630 ֏
1 шт. на сумму 1 150 ֏
Номенклатурный номер: 8004674888
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 140V PNP Lw Saturatn Med power transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2100 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.6 mm
Длина 4.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 5 at - 10 A, - 5 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300 at - 1 A, - 5 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 140 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 37 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 120 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия ZX5T955
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.6 mm
Collector Emitter Voltage Max 140В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 45hFE
DC Усиление Тока hFE 45hFE
Power Dissipation 2.1Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции ZX Series
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-89
Частота Перехода ft 120МГц
Вес, г 0.1305

Техническая документация

Datasheet ZX5T955ZTA
pdf, 245 КБ