CSD23280F3, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
![Фото 1/2 CSD23280F3, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150](https://static.chipdip.ru/lib/577/DOC006577940.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/334/DOC015334704.jpg)
510 ֏
от 10 шт. —
343 ֏
от 100 шт. —
151 ֏
от 1000 шт. —
84 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
FemtoFET Power MOSFETTexas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 9000 |
Fall Time: | 8 ns |
Forward Transconductance - Min: | 3 S |
Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | PICOSTAR-3 |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 950 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
Rise Time: | 4 ns |
Series: | CSD23280F3 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PicoStar |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.8 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 116 4.5V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 12 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 25 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 6 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.95 |
Maximum IDSS (uA) | 0.05 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Small Signal |
Supplier Package | PicoStar |
Typical Fall Time (ns) | 8 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.95 4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 180 6V |
Typical Rise Time (ns) | 4 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 21 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1606 КБ