CSD23285F5, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 35 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 ֏
от 10 шт. —
510 ֏
от 100 шт. —
252 ֏
от 1000 шт. —
156 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
FemtoFET Power MOSFETTexas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 8.9 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.3 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | PICOSTAR-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | CSD23285F5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PicoStar |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
| Вес, г | 0.01 |
