CSD83325LT, MOSFETs 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual LGA, 5.9 mOhm, gate ESD protection 6-PICOSTAR -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 590 ֏
от 10 шт. —
1 240 ֏
от 100 шт. —
900 ֏
от 250 шт. —
840 ֏
1 шт.
на сумму 1 590 ֏
Описание
Unclassified
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 12 В 2,3 Вт для поверхностного монтажа 6-PicoStar
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.3 W |
| Qg - заряд затвора | 8.4 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 950 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 353 ns |
| Время спада | 589 ns |
| Высота | 0.2 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 36 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Power MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Серия | CSD83325L |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 711 ns |
| Типичное время задержки при включении | 205 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | BGA-6 |
| Ширина | 1.15 mm |
| Base Product Number | CSD83325 -> |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-XFBGA |
| Power - Max | 2.3W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | 6-PicoStar |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 52 A |
| Package Type | Picostar YSE 6 |
| Вес, г | 52 |
Техническая документация
Datasheet CSD83325LT
pdf, 1222 КБ
