MPQ2222A PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 500mA 650mW

MPQ2222A PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 500mA 650mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
341 шт., срок 7-9 недель
6 600 ֏
от 10 шт.5 400 ֏
от 25 шт.4 380 ֏
от 100 шт.3 720 ֏
1 шт. на сумму 6 600 ֏
Номенклатурный номер: 8004700511

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
Configuration: Quad
Continuous Collector Current: 500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 25
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-116-14
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 1.9 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: MPQ2222
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 8.37

Техническая документация

Datasheet
pdf, 266 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг