BC817-40-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
194 ֏
от 10 шт. —
128 ֏
от 100 шт. —
53 ֏
от 1000 шт. —
34 ֏
1 шт.
на сумму 194 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 310 mW |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Высота: | 1 mm |
Длина: | 3.05 mm |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 170 at 300 mA, 1 V |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 1 A |
Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 700 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 MHz |
Производитель: | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки: | 3000 |
Серия: | BC817 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка: | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок: | SOT-23-3 |
Ширина: | 1.4 mm |
Base Product Number | BC817 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 100MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 310mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 310 mW |
Minimum DC Current Gain | 250 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 370 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 332 КБ
Datasheet BC817-40-7-F
pdf, 326 КБ