DDTD123EC-7-F, Digital Transistors 200MW 2.2K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
396 ֏
от 10 шт. —
269 ֏
от 100 шт. —
106 ֏
от 1000 шт. —
69 ֏
1 шт.
на сумму 396 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 2.2K
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.05 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 39 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DDTD123 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 71 КБ
