DSS5140V-7, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 ֏

от 10 шт. — 388 ֏

от 100 шт. — 150 ֏

1 шт. на сумму 580 ֏

Номенклатурный номер: 8004701747

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT

Pd - рассеивание мощности	600 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.6 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	160 at 1 A, 5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300 at 1 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	310 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DSS51
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-563-6
Ширина	1.2 mm
Вес, г	0.003