FZT493ATA, Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Med PWR 1A Ic 2A 150mA

FZT493ATA, Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Med PWR 1A Ic 2A 150mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт.710 ֏
от 100 шт.454 ֏
от 500 шт.357 ֏
1 шт. на сумму 800 ֏
Номенклатурный номер: 8004701758
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN Med PWR 1A Ic 2A 150mA

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 3 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 20
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 1200
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FZT493
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Вес, г 0.112