TN0104N3-G-P003, MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 630 ֏
от 100 шт. —
1 240 ֏
от 500 шт. —
1 050 ֏
1 шт.
на сумму 1 630 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 450 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 740 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.21 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 4.19 mm |
| Вес, г | 0.4536 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 666 КБ
