AIGW50N65F5XKSA1, IGBTs DISCRETES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 500 ֏
от 10 шт. —
7 700 ֏
от 25 шт. —
7 000 ֏
от 100 шт. —
5 800 ֏
1 шт.
на сумму 9 500 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 270 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | AIGW50N65F5 SP001346882 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.66 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | TRENCHSTOP 5 F5 |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.66В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 270Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1788 КБ
Datasheet AIGW50N65F5XKSA1
pdf, 1728 КБ
