IGB10N60T, IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 960 ֏
от 10 шт. —
1 520 ֏
от 100 шт. —
1 100 ֏
от 500 шт. —
880 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 960 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 24 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IGB1N6TXT SP000456678 IGB10N60TATMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | TRENCHSTOP IGBT |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 1.56 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 589 КБ
