IXFH120N25X3, MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 900 ֏
от 10 шт. —
13 300 ֏
от 30 шт. —
11 400 ֏
от 60 шт. —
10 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 900 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 480Вт, TO247-3, 140нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
Pd - рассеивание мощности | 480 W |
Qg - заряд затвора | 122 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 32 ns |
Время спада | 12 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 54 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 100 ns |
Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 6 |