IXFH140N20X3, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 900 ֏
от 10 шт. —
14 400 ֏
от 30 шт. —
11 600 ֏
от 120 шт. —
10 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 900 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 200В, 140А, 520Вт, TO247-3, 90с Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Fall Time: | 12 ns |
Forward Transconductance - Min: | 55 S |
Id - Continuous Drain Current: | 140 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 480 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 127 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.6 mOhms |
Rise Time: | 20 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | HiPerFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 272 КБ