IXFK80N60P3, MOSFETs 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 600 ֏
от 10 шт. —
19 600 ֏
от 25 шт. —
17 000 ֏
от 50 шт. —
15 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 23 600 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 kW |
| Qg - заряд затвора | 190 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 90 S, 55 S |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Серия | IXFK80N60 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Вес, г | 10 |
