IXFN300N20X3, MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 MINI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 000 ֏
от 10 шт. —
44 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 000 ֏
Описание
Unclassified
Описание Модуль, одиночный транзистор, 200В, 300А, SOT227B, Ugs: ±30В, 695Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 80 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 695 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 375 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Rise Time: | 43 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | HiPerFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 184 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 44 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Вес, г | 30.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 151 КБ
