IXFX64N60P, MOSFETs MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 000 ֏
от 10 шт. —
19 600 ֏
от 30 шт. —
17 800 ֏
от 60 шт. —
16 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 23 000 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 64А, 1040Вт, PLUS247™ Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Fall Time: | 24 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 63 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 64 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 200 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 96 mOhms |
| Rise Time: | 23 ns |
| Series: | IXFX64N60 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | HiPerFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Вес, г | 6.93 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 213 КБ
