IXGN400N60B3, IGBT Modules Mid-Frequency Range PT IGBTs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

71 500 ֏

1 шт. на сумму 71 500 ֏

Номенклатурный номер: 8004724461

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules

Описание Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 600В, Ic: 200А, SOT227B Характеристики

Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	430 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	10
Серия	IXGN400N60
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 400 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227B-4
Вес, г	37.16