IXTH3N200P3HV, MOSFETs MSFT N-CH STD-POLAR3
![IXTH3N200P3HV, MOSFETs MSFT N-CH STD-POLAR3](https://static.chipdip.ru/lib/520/DOC006520572.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 100 ֏
от 10 шт. —
29 900 ֏
от 30 шт. —
26 000 ֏
от 60 шт. —
25 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 37 100 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор MSFT N-CH STD-POLAR3
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
Pd - рассеивание мощности | 520 W |
Qg - заряд затвора | 70 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 2 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 27 ns |
Время спада | 60 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | Polar3 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип | High Voltage |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 67 ns |
Типичное время задержки при включении | 21 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, кг | 9.67 |