IXYH10N170CV1, IGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 900 ֏
от 10 шт. —
10 500 ֏
от 30 шт. —
8 900 ֏
от 120 шт. —
7 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 900 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 280 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 36 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Вес, г | 6 |
