RGCL60TS60GC11, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-curren

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

713 шт., срок 6-9 недель

2 400 ֏

от 10 шт. — 2 180 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 400 ֏

Номенклатурный номер: 8004726333

Бренд: Rohm

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Pd - рассеивание мощности	111 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGCL60TS60
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	48 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-247-3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.4В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	48А
Power Dissipation	111Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247N
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1