2SC5200-O(S1,F, Bipolar Transistors - BJT Pb-FPOWERTRANSISTORTO- 3PLPC=150WF=100KHZ

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

117 шт., срок 7-9 недель

3 660 ֏

1 шт. на сумму 3 660 ֏

Номенклатурный номер: 8004726724

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS POWER

Pd - рассеивание мощности:	150 W
Вид монтажа:	Through Hole
Категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	55
Конфигурация:	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:	160
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:	15 A
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO):	230 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	230 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	0.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):	5 V
Непрерывный коллекторный ток:	15 A
Подкатегория:	Transistors
Полярность транзистора:	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):	30 MHz
Производитель:	Toshiba
Размер фабричной упаковки:	25
Серия:	2SC
Тип продукта:	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка:	Toshiba
Упаковка / блок:	TO-3P-3
Упаковка:	Tube
Вес, г	9.75