GT50JR21(STA1,E,S), IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 шт., срок 5-8 недель
5 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 900 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3PN-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 230 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | GT50JR21 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 4.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 202 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
