RN1105,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6108 шт., срок 7-9 недель
330 ֏
1 шт.
на сумму 330 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-416-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Series: | RN1105 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 2.2 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.0468 |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 876 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
