SSM3K44MFV,L3F, MOSFETs Sm-signal/Hi-Speed VESM (SOT-723)
![SSM3K44MFV,L3F, MOSFETs Sm-signal/Hi-Speed VESM (SOT-723)](https://static.chipdip.ru/lib/544/DOC027544977.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6763 шт., срок 7-9 недель
220 ֏
1 шт.
на сумму 220 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
Forward Transconductance - Min: | 25 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | VESM-3 |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MOSVI |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 200 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 194 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг