SSM6L39TU,LF, MOSFET Small Signal MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8355 шт., срок 5-8 недель
580 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
U-MOSIII MOSFETsToshiba U-MOSIII MOSFETs are single and dual channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.6 A, 1.5 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | UF-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.5 nC, 6.4 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 247 mOhms, 430 mOhms |
| Series: | SSM6L39 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | U-MOSIII |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V, -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV, 300 mV |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 254 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
