TK090N65Z,S1F, MOSFETs 230W 1MHz TO-247
![TK090N65Z,S1F, MOSFETs 230W 1MHz TO-247](https://static.chipdip.ru/lib/089/DOC007089425.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
34 шт., срок 7-9 недель
7 600 ֏
1 шт.
на сумму 7 600 ֏
Описание
Unclassified
DTMOSVI MOSFETsToshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Fall Time: | 4 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Pd - Power Dissipation: | 230 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 47 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhms |
Rise Time: | 60 ns |
Series: | TK099V65Z |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | DTMOSVI |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 85 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 414 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг