TK10P50W,RQ, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
625 шт., срок 7-9 недель
2 120 ֏
1 шт.
на сумму 2 120 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзисторы DTMOSVIМОП-транзисторы Toshiba серии DTMOSVI обладают низким сопротивлением сток-исток в открытом состоянии (R DS(ON) = 0,033 Ом (тип.)). Эти устройства имеют напряжение сток-исток 650В при токе стока 57А. МОП-транзисторы серии DTMOSVI обеспечивают высокую скорость переключения при меньшей емкости. Эти МОП-транзисторы идеально подходят для использования в импульсных источниках питания.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Fall Time: | 5.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.7 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | DPAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 80 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 430 mOhms |
| Rise Time: | 22 ns |
| Series: | TK10P50W |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | DTMOSVI |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 275 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
