TK14A65W,S5X, MOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 шт., срок 7-9 недель
3 350 ֏
1 шт.
на сумму 3 350 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзисторы серии DTMOSIV МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV используют современный одинарный эпитаксиальный процесс, который обеспечивает снижение R DS (on) на 30%, что является показателем качества ( FOM) для полевых МОП-транзисторов, по сравнению со своим предшественником, DTMOSIII. Это уменьшение R DS (on) позволяет размещать микросхемы с более низким R DS (on) в одних и тех же корпусах. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размер источников питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подходят для использования с импульсными регуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Id - Continuous Drain Current: | 13.7 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 35 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 220 mOhms |
| Series: | TK14A65W |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | DTMOSIV |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 239 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
