TK31Z60X,S1F, MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
![TK31Z60X,S1F, MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS](https://static.chipdip.ru/lib/649/DOC006649977.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
49 шт., срок 5-8 недель
14 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзисторы DTMOSIV-HПолевые МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H подходят для приложений, требующих высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, таких как высокоэффективные импульсные источники питания для серверов и базовых телекоммуникационных станций, а также в качестве кондиционеров для фотоэлектрических инверторов. МОП-транзисторы DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при сохранении низкого уровня сопротивления в открытом состоянии, характерного для обычных DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению размеров изделий.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
Fall Time: | 6 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 30.8 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-247-4 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 230 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 65 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 88 mOhms |
Rise Time: | 20 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | DTMOSIV-H |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
Base Product Number | TLP781 -> |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Package | Tube |
Series | * |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 281 КБ
Datasheet TK31Z60X,S1F
pdf, 281 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг