Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba › TK5A90E,S4X, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET ...

TK5A90E,S4X, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

47 шт., срок 6-9 недель

1 740 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 740 ֏

Номенклатурный номер: 8004726902

Бренд: Toshiba

Описание

Unclassified

МОП-транзисторы π-MOS VII
МОП-транзисторы Toshiba -MOS VII представляют собой привод с затвором 10 В, одноканальные устройства с одним N-каналом, сочетающие технологию МОП-МОП с планарным процессом для обеспечения широкого выбора напряжения и R DS ( ON) рейтинги. Эти высоковольтные полевые МОП-транзисторы предлагаются с диапазоном напряжения сток-исток от 250 В до 650 В и с диапазоном тока стока от 2 до 20 А. МОП-транзисторы -MOS VII предлагаются в корпусах со сквозными отверстиями TO-220-3 и TO-252, а также в компактных корпусах DPAK-3 и PW-Mold-3 для поверхностного монтажа.

Технические параметры

Brand:	Toshiba
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	50
Fall Time:	15 ns
Id - Continuous Drain Current:	4.5 A
Manufacturer:	Toshiba
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	40 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	20 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.1 Ohms
Rise Time:	25 ns
Series:	TK5A90E
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MOSVII
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	80 ns
Typical Turn-On Delay Time:	55 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	900 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Вес, г	2