XPH6R30ANB,L1XHQ, MOSFET PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14806 шт., срок 6-9 недель
1 560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 560 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETsToshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. They feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. They have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 45 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOP-Advance-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 132 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 52 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.3 mOhms |
| Rise Time: | 16 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 39 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 540 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
