SI1442DH-T1-GE3, MOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6

Фото 1/3 SI1442DH-T1-GE3, MOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
423 ֏
от 10 шт.316 ֏
от 100 шт.165 ֏
от 1000 шт.122 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 423 ֏
Номенклатурный номер: 8004729410

Описание

Unclassified
МОП-транзистор 12V Vds 8V Vgs SC70-6

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки: 4 A
Pd - рассеивание мощности: 1.56 W
Qg - заряд затвора: 33 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 13 ns
Время спада: 9 ns
Другие названия товара №: SI1442DH-T1-BE3 SI1442DH-GE3
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Коммерческое обозначение: TrenchFET
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Производитель: Vishay
Размер фабричной упаковки: 3000
Серия: SI1
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 22 ns
Типичное время задержки при включении: 8 ns
Торговая марка: Vishay Semiconductors
Упаковка / блок: SOT-363-6
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.017Ом
Power Dissipation 2.8Вт
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции Trench
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 4.5В
Напряжение Истока-стока Vds 12В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 400мВ
Рассеиваемая Мощность 2.8Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.017Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Maximum Continuous Drain Current 4 A
Maximum Drain Source Voltage 12 V
Mounting Type Surface Mount
Package Type SC-70
Вес, г 0.0075

Техническая документация

Datasheet
pdf, 262 КБ
Datasheet
pdf, 247 КБ
Datasheet SI1442DH-T1-GE3
pdf, 248 КБ