SI2356DS-T1-GE3, MOSFETs 40V Vds 12V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
от 10 шт. —
383 ֏
от 100 шт. —
205 ֏
от 1000 шт. —
130 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор MOSFET SOT23
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.3 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | SI2356DS-T1-BE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 51 mOhms |
| Rise Time: | 12 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 194 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 65 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 50 КБ
