SI3424CDV-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
![Фото 1/3 SI3424CDV-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517505.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/532/DOC002532642.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/232/DOC007232783.jpg)
540 ֏
от 10 шт. —
396 ֏
от 100 шт. —
249 ֏
от 1000 шт. —
163 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 3.6 W |
Qg - заряд затвора | 8.3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 26 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 12 ns |
Время спада | 8 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 17 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SI3 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 16 ns |
Типичное время задержки при включении | 3 ns |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | TSOP-6 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Quad Drain |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 8 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 26 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 6 |
PPAP | No |
Process Technology | TrenchFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | TSOP |
Typical Fall Time (ns) | 8|9 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.3 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.3 10V|4.3 4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 405 15V |
Typical Rise Time (ns) | 12|22 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16|15 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3|10 |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet SI3424CDV-T1-GE3
pdf, 214 КБ
Datasheet SI3424CDV-T1-GE3
pdf, 248 КБ