IRFI630GPBF, MOSFET 200V N-CH HEXFET
![Фото 1/2 IRFI630GPBF, MOSFET 200V N-CH HEXFET](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514979.jpg)
3 290 ֏
от 10 шт. —
2 580 ֏
от 100 шт. —
1 940 ֏
от 250 шт. —
1 680 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 290 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 3,7А, 35Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.49 mm |
Длина | 10.41 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFI |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IRFI630GPBF
pdf, 1548 КБ