IRFZ20PBF, MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 870 ֏
от 10 шт. —
1 470 ֏
от 100 шт. —
1 200 ֏
от 250 шт. —
930 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 870 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 45 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFZ |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Base Product Number | IRFZ20 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.1Ом |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Вес, г | 6 |
